Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) — академическое научное учреждение, основанное в 1993 году по Постановлению Президиума РАН № 173 от 28 сентября 1993 года на базе Отделения физики твёрдого тела Института прикладной физики РАН. Располагается в Нижнем Новгороде.

История и руководство

Первым директором института стал С. В. Гапонов, избранный членом-корреспондентом РАН в 1994 году и академиком в 2008 году; с 2009 года он перешёл в статус советника РАН. В 2009 году ИФМ РАН возглавил профессор З. Ф. Красильник, в 2015 году его сменил профессор В. И. Гавриленко, а в 2016 году директором вновь стал З. Ф. Красильник. В 2020 году исполняющим обязанности директора снова назначили В. И. Гавриленко, а в 2021 году институт возглавил А. В. Новиков.[1] С 1993 года заместителем директора института служит Александр Александрович Андронов.[1]

С 2009 по 2016 год институт входил в состав Нижегородского научного центра РАН; с 2016 года — в составе Отделения физических наук Российской академии наук.[1]

Научные направления

В институте ведутся фундаментальные исследования в области физики поверхности, твердотельных наноструктур, сверхпроводимости и многослойной рентгеновской оптики, а также технологии и применения тонких плёнок, поверхностных и многослойных структур. В институте впервые получено стимулированное терагерцевое излучение в n-Si при внутризонном оптическом возбуждении, впервые создана квантовая мера напряжения на основе джозефсоновских контактов из высокотемпературных сверхпроводников, а также разработаны элементы кремниевой нанооптики, радиационностойкой магнитной памяти и МЭМС-виброакселерометры.[4][1]

Состав

В ИФМ РАН работают 275 сотрудников, из них более 140 научных, в том числе 21 доктор и 73 кандидата наук. В составе института действуют 6 научных отделов, Лаборатория основ наноэлектронной компонентной базы информационных технологий, Научно-образовательный центр и Центр коллективного пользования «Физика и технология микро- и наноструктур», а также уникальный стенд «Фемтоспектр».[4] Среди сотрудников — 8 лауреатов Государственной премии и 1 лауреат Государственной премии Российской Федерации для молодых учёных.[1] По актуальным данным официального сайта института, среди 275 сотрудников — более 180 исследователей, в том числе 25 докторов и 80 кандидатов наук, один академик и два члена-корреспондента РАН; в числе направлений исследований сайт называет также кремниевую оптоэлектронику, спектроскопию терагерцового диапазона и спинтронику. ИФМ РАН поддерживает тесные связи с Нижегородским государственным университетом имени Лобачевского: в 2004 году в институте открыта межфакультетская базовая кафедра ННГУ «Физика наноструктур и наноэлектроника», а более 20 сотрудников института преподают в университете.[5] Институт располагает специализированным корпусом с 9 000 кв. м лабораторных площадей, оснащённым чистыми помещениями, установкой для деионизации воды, системой воздушного кондиционирования и газовой проводкой; фактический адрес учреждения — ул. Академическая, д. 7, деревня Афонино, Кстовский район Нижегородской области.[3][2]

Источники

  1. old.ipmras.ru — С 1 марта 2016 года Институт физики микроструктур вошёл в состав Федерального исследовательского центра Институт прикладной физики Российской академии наук на п
  2. bigenc.ru — В институте впервые получено стимулированное терагерцевое излучение в n-Si при внутризонном оптическом возбуждении, впервые создана квантовая мера напряжения на
  3. mathnet.ru — ИФМ РАН поддерживает тесные связи с Нижегородским государственным университетом имени Лобачевского: в 2004 году в институте открыта межфакультетская базовая каф (архив)
  1. Википедия (ru) — Институт физики микроструктур РАН
  2. ipmras.ru — Институт физики микроструктур РАН, официальный сайт (архив)
Использованы материалы статей (2)

Александр Александрович Андронов, Институт прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова РАН